MOSFET Thermal Overstress Aging Dataset (NASA PCoE No.13) 核心 · 已核验

atlas:mosfet-thermal-overstress-aging

NASA PCoE 功率 MOSFET 热过应力加速老化数据集:器件运行至失效, 主要退化机理为芯片焊接层(die-attach)退化;功率电子 PHM 的经典数据集。

落地页
https://www.nasa.gov/intelligent-systems-division/discovery-and-systems-health/pcoe/pcoe-data-set-repository/
国内可访问性
国内直连:可达 (2026-07-11 检测) 代理通道:可达 (2026-07-11 检测)
检测口径:lychee 双通道单轮探测;「直连超时」表示检测窗口内未完成,系慢或不稳定证据,不构成封锁证据。
发布方
NASA Prognostics Center of Excellence
别名
NASA PCoE MOSFET
设备类型
power_electronics_device
PHM 任务
rul_prediction degradation_trend_prediction
跑至失效
是

分发点

nasa_pcoe https://www.nasa.gov/intelligent-systems-division/discovery-and-systems-health/pcoe/pcoe-data-set-repository/
phm_society https://data.phmsociety.org/nasa/ PHM Society 镜像

故障工况

description: 热过应力下 die-attach 退化(导通电阻漂移为主要退化指征)fault_type: otherinduction: accelerated_life_test

传感器

sensor_type: voltage_sensorobserved_property: voltagemounting_note: 漏源电压等电学量
sensor_type: current_sensorobserved_property: electric_current
sensor_type: thermocoupleobserved_property: temperature
溯源(PROV,4 条)
source_url: https://data.phmsociety.org/nasa/retrieved_on: 2026-07-07asserted_by: human_curatornote: 原始文献 Celaya et al. (2011) 系列;字段细节以镜像站 README 为准待补
about_field: source_citation: 人工核验:zfbin(委托批准 2026-07-09)retrieved_on: 2026-07-09asserted_by: human_curatorconfidence_level: human_verifiednote: 晋升核心区。首晋升批次 01:KLS-005 手工填卡,实质核验于 KLS-005 完成(评审见 evidence/KLS-005/);委托代理执行
about_field: china_accessibilitysource_citation: KLS-009 链接健康扫描(lychee 双通道)retrieved_on: 2026-07-11asserted_by: automated_harvestnote: 定期刷新标注,仅覆盖本字段;历史结果以最新扫描为准
about_field: notessource_citation: 人工核验:zfbin(委托批次 KLS-032,2026-07-15)retrieved_on: 2026-07-14asserted_by: human_curatorconfidence_level: human_verifiednote: 人工改写。KLS-032 license 补判:NASA PCoE 仓库页无许可声明;仅风险自担免责 + 致谢请求条款(2026-07-15 核)