MOSFET Thermal Overstress Aging Dataset (NASA PCoE No.13) 核心 · 已核验
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NASA PCoE 功率 MOSFET 热过应力加速老化数据集:器件运行至失效, 主要退化机理为芯片焊接层(die-attach)退化;功率电子 PHM 的经典数据集。
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- 落地页
- https://www.nasa.gov/intelligent-systems-division/discovery-and-systems-health/pcoe/pcoe-data-set-repository/
- 国内可访问性
-
国内直连:可达 (2026-07-11 检测)
非直连:可达 (2026-07-11 检测)
「直连超时」表示检测窗口内未完成,系慢或不稳定证据,不构成封锁证据。
- 发布方
- NASA Prognostics Center of Excellence
- 别名
- NASA PCoE MOSFET
- 设备类型
power_electronics_device - PHM 任务
rul_prediction degradation_trend_prediction - 跑至失效
- 是
分发点
故障工况
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description: 热过应力下 die-attach 退化(导通电阻漂移为主要退化指征)fault_type: otherinduction: accelerated_life_test
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传感器
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sensor_type: voltage_sensorobserved_property: voltagemounting_note: 漏源电压等电学量
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sensor_type: current_sensorobserved_property: electric_current
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sensor_type: thermocoupleobserved_property: temperature
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溯源(8 条)